台积电在半导体技术方面的最新进展包括：
3nm工艺：
台积电最近推出了基于3nm工艺的新型半导体技术，这项技术在制造工艺上进行了革新，提高了能效和计算能力。3nm工艺能够实现更小的芯片尺寸与更强的处理能力，支持5G和人工智能的深度整合，为智能手机、笔记本电脑和高性能计算设备提供更高效能和更低功耗的解决方案。
2nm工艺：
台积电的2nm制程技术在晶体管密度和性能提升方面取得了显著优势。与现有的5nm技术相比，2nm技术的性能有望提高10-15%，而功耗可以减少25-30%。这项技术首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，并结合NanoFlex技术，提供了前所未有的设计灵活性。
4nm工艺：
台积电的4nm制程工艺基于FinFET架构，具有低功耗、高性能、高密度等特性，并且采用了EUV光刻技术，能够有效提高芯片制造的精度和效率。
N3家族：
台积电的N3家族工艺包括N3E、N3P等，其中N3E已于去年第四季进入量产，N3P预计将在今年下半年量产。N3家族在性能和能效上都有显著提升，满足市场对更高效能和更低功耗设备的需求。
N2制程：
N2制程采用纳米片（Nanosheet）晶体管，提供更优异的能源效率。目前2nm技术进展顺利，预计将在2025年量产。
特殊制程技术：
台积电还在研发和应用特殊制程技术，如硅光子技术，以支持高性能计算和高速网络应用。
这些技术的推出不仅展示了台积电在半导体制造领域的领先地位，也为全球智能设备行业的发展提供了强大的支持。随着技术的不断进步，台积电有望在未来继续引领半导体行业的发展趋势。